P-I-N结构二极管参数 /广东电子商贸网--分类查询

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P-I-N结构二极管参数

编号	产品名称	参数
847565	P-I-N结构二极管 DSG6361	击穿电压--V_bmin(V)：60 测试V_br的测
847566	P-I-N结构二极管 DSG6362	击穿电压--V_bmin(V)：60 测试V_br的测
847577	P-I-N结构二极管 DSG6363	击穿电压--V_bmin(V)：60 测试V_br的测
847578	P-I-N结构二极管 DSG6380-06	击穿电压--V_bmin(V)：100 测试V_br的
847579	P-I-N结构二极管 DSG6380-12	击穿电压--V_bmin(V)：100 测试V_br的
847580	P-I-N结构二极管 DSG6380-18	击穿电压--V_bmin(V)：100 测试V_br的
847581	P-I-N结构二极管 DSG6380-30	击穿电压--V_bmin(V)：100 测试V_br的
847582	P-I-N结构二极管 DSG6381-06	击穿电压--V_bmin(V)：150 测试V_br的
847583	P-I-N结构二极管 DSG6381-12	击穿电压--V_bmin(V)：150 测试V_br的
847584	P-I-N结构二极管 DSG6381-18	击穿电压--V_bmin(V)：150 测试V_br的
847585	P-I-N结构二极管 DSG6381-30	击穿电压--V_bmin(V)：150 测试V_br的
847586	P-I-N结构二极管 DSG6405	击穿电压--V_bmin(V)：100 测试V_br的
847587	P-I-N结构二极管 DSG6470-06	击穿电压--V_bmin(V)：200 测试V_br的
847597	P-I-N结构二极管 DSG6470-12	击穿电压--V_bmin(V)：200 测试V_br的
847598	P-I-N结构二极管 DSG6470-18	击穿电压--V_bmin(V)：200 测试V_br的
847599	P-I-N结构二极管 DSG6470-24	击穿电压--V_bmin(V)：200 测试V_br的
847600	P-I-N结构二极管 DSG6470-30	击穿电压--V_bmin(V)：200 测试V_br的
847601	P-I-N结构二极管 DSG6474-12	击穿电压--V_bmin(V)：200 测试V_br的
847602	P-I-N结构二极管 DSG6474-18	击穿电压--V_bmin(V)：200 测试V_br的
847603	P-I-N结构二极管 DSG6474-24	击穿电压--V_bmin(V)：200 测试V_br的
847604	P-I-N结构二极管 DSG6474-30	击穿电压--V_bmin(V)：200 测试V_br的
847605	P-I-N结构二极管 DSM6340	击穿电压--V_bmin(V)：80 测试V_br的测
847606	P-I-N结构二极管 DSM6341	击穿电压--V_bmin(V)：80 测试V_br的测
847607	P-I-N结构二极管 DSM6355	击穿电压--V_bmin(V)：50 测试V_br的测
847618	P-I-N结构二极管 DSM6356	击穿电压--V_bmin(V)：30 测试V_br的测

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