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    P-I-N结构二极管参数
编号
产品名称
参数
847565 P-I-N结构二极管 DSG6361 击穿电压--Vbmin(V):60
测试Vbr的测 
847566 P-I-N结构二极管 DSG6362 击穿电压--Vbmin(V):60
测试Vbr的测 
847577 P-I-N结构二极管 DSG6363 击穿电压--Vbmin(V):60
测试Vbr的测 
847578 P-I-N结构二极管 DSG6380-06 击穿电压--Vbmin(V):100
测试Vbr的 
847579 P-I-N结构二极管 DSG6380-12 击穿电压--Vbmin(V):100
测试Vbr的 
847580 P-I-N结构二极管 DSG6380-18 击穿电压--Vbmin(V):100
测试Vbr的 
847581 P-I-N结构二极管 DSG6380-30 击穿电压--Vbmin(V):100
测试Vbr的 
847582 P-I-N结构二极管 DSG6381-06 击穿电压--Vbmin(V):150
测试Vbr的 
847583 P-I-N结构二极管 DSG6381-12 击穿电压--Vbmin(V):150
测试Vbr的 
847584 P-I-N结构二极管 DSG6381-18 击穿电压--Vbmin(V):150
测试Vbr的 
847585 P-I-N结构二极管 DSG6381-30 击穿电压--Vbmin(V):150
测试Vbr的 
847586 P-I-N结构二极管 DSG6405 击穿电压--Vbmin(V):100
测试Vbr的 
847587 P-I-N结构二极管 DSG6470-06 击穿电压--Vbmin(V):200
测试Vbr的 
847597 P-I-N结构二极管 DSG6470-12 击穿电压--Vbmin(V):200
测试Vbr的 
847598 P-I-N结构二极管 DSG6470-18 击穿电压--Vbmin(V):200
测试Vbr的 
847599 P-I-N结构二极管 DSG6470-24 击穿电压--Vbmin(V):200
测试Vbr的 
847600 P-I-N结构二极管 DSG6470-30 击穿电压--Vbmin(V):200
测试Vbr的 
847601 P-I-N结构二极管 DSG6474-12 击穿电压--Vbmin(V):200
测试Vbr的 
847602 P-I-N结构二极管 DSG6474-18 击穿电压--Vbmin(V):200
测试Vbr的 
847603 P-I-N结构二极管 DSG6474-24 击穿电压--Vbmin(V):200
测试Vbr的 
847604 P-I-N结构二极管 DSG6474-30 击穿电压--Vbmin(V):200
测试Vbr的 
847605 P-I-N结构二极管 DSM6340 击穿电压--Vbmin(V):80
测试Vbr的测 
847606 P-I-N结构二极管 DSM6341 击穿电压--Vbmin(V):80
测试Vbr的测 
847607 P-I-N结构二极管 DSM6355 击穿电压--Vbmin(V):50
测试Vbr的测 
847618 P-I-N结构二极管 DSM6356 击穿电压--Vbmin(V):30
测试Vbr的测 

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