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    硅微波二极管参数
编号
产品名称
参数
847521 P-I-N结构二极管 DC2956-1 击穿电压--Vbmin(V):400
测试Vbr的 
847522 P-I-N结构二极管 DC2957 击穿电压--Vbmin(V):200
测试Vbr的 
847523 P-I-N结构二极管 DC2958 击穿电压--Vbmin(V):200
测试Vbr的 
847524 P-I-N结构二极管 DC2958-2 击穿电压--Vbmin(V):500
测试Vbr的 
847525 P-I-N结构二极管 DC2962 击穿电压--Vbmin(V):200
测试Vbr的 
847526 P-I-N结构二极管 DC2972 击穿电压--Vbmin(V):100
测试Vbr的 
847536 P-I-N结构二极管 DC3636-1 击穿电压--Vbmin(V):200
测试Vbr的 
847537 P-I-N结构二极管 DCG6474-06 击穿电压--Vbmin(V):200
测试Vbr的 
847538 P-I-N结构二极管 DGM6767 击穿电压--Vbmin(V):100
测试Vbr的 
847539 P-I-N结构二极管 DSB3608-01 击穿电压--Vbmin(V):100
测试Vbr的 
847540 P-I-N结构二极管 DSB3608-02 击穿电压--Vbmin(V):50
测试Vbr的测 
847541 P-I-N结构二极管 DSB3608-04 击穿电压--Vbmin(V):150
测试Vbr的 
847542 P-I-N结构二极管 DSB3608-05 击穿电压--Vbmin(V):30
测试Vbr的测 
847543 P-I-N结构二极管 DSB3608-01 击穿电压--Vbmin(V):300
测试Vbr的 
847544 P-I-N结构二极管 DSB6419-55 击穿电压--Vbmin(V):100
测试Vbr的 
847545 P-I-N结构二极管 DSB6419-59 击穿电压--Vbmin(V):100
测试Vbr的 
847546 P-I-N结构二极管 DSB6419-61 击穿电压--Vbmin(V):100
测试Vbr的 
847556 P-I-N结构二极管 DSB6484-01 击穿电压--Vbmin(V):50
测试Vbr的测 
847557 P-I-N结构二极管 DSB6484-02 击穿电压--Vbmin(V):50
测试Vbr的测 
847558 P-I-N结构二极管 DSB6484-03 击穿电压--Vbmin(V):100
测试Vbr的 
847559 P-I-N结构二极管 DSB6484-04 击穿电压--Vbmin(V):200
测试Vbr的 
847560 P-I-N结构二极管 DSB8419-52 击穿电压--Vbmin(V):100
测试Vbr的 
847561 P-I-N结构二极管 DSG6340 击穿电压--Vbmin(V):80
测试Vbr的测 
847562 P-I-N结构二极管 DSG6341 击穿电压--Vbmin(V):80
测试Vbr的测 
847563 P-I-N结构二极管 DSG6355 击穿电压--Vbmin(V):50
测试Vbr的测 

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