编号 |
产品名称 |
参数 |
| 639755 |
场效应管 APT551R6CN |
材料:N-FET
用途及参数:MCS-ENH/S/L, 550V, 5.5A, 125W, R |
| 639756 |
场效应管 APT551R6GN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L.,550V,5A,100W, R
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| 639757 |
场效应管 APT601R2AN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L,600V,7A,150W, R |
| 639758 |
场效应管 AFT601R2BN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L.,600V,8A,180W, R
|
| 639759 |
场效应管 APT601R2CN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L, 600V, 6.5A, 125W, R |
| 639760 |
场效应管 AFT601R2DN |
材料:N-FET
用途及参数: =APT601R2BN |
| 639761 |
场效应管 AFT601R2GN |
材料:N-FET
用途及参数: =APT601R2CN |
| 639762 |
场效应管 APT601R3AN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L, 600V, 6.5A, 150W, 2 |
| 639763 |
场效应管 APT601R3BN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L. 600V, 7.5A, 180W, 2 |
| 639764 |
场效应管 APT601R3BNR |
材料:N-FET
用途及参数:=APT601R3BN |
| 639916 |
场效应管 APT4030DN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S, 400V, RON= |
| 639917 |
场效应管 APT4040AN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L, 400V, 14.5A, 196W, |
| 639918 |
场效应管 APT4040BN(R) |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L, 400V, 16A, 240W, 47 |
| 639919 |
场效应管 APT4040CN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L, 400V, 13A, 150W, 24 |
| 639920 |
场效应管 APT4055AN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S, 400V, 10.5A, 150W, R< |
| 639921 |
场效应管 APT4055BN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L, 400V, 12A, 180W,R
|
| 639922 |
场效应管 APT4055CN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L, 400V, 9.5A, 125W, R |
| 639923 |
场效应管 APT4055DN |
材料:N-FET
用途及参数:=APT4055BN |
| 639924 |
场效应管 APT4055GN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L, 400V, 9.5A, 125W, R |
| 639925 |
场效应管 APT4065AN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L, 400V, 10A, 150W, 32 |
| 639926 |
场效应管 APT4065BN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L, 400V, 12A,180W,R
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| 639927 |
场效应管 APT4065BNR |
材料:N-FET
用途及参数:=APT4065BN |
| 639928 |
场效应管 APT4065CN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L,400V,9A,125W,18/18ns |
| 639929 |
场效应管 APT4065DN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S, 400V, RON= |
| 639930 |
场效应管 APT4065GN |
材料:N-FET
用途及参数:MCS-ENH/S/L, 400V, 8.5A,100W, R< |
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