编号 |
产品名称 |
参数 |
| 639797 |
场效应管 APT801R4CN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L, 800V, 6.5A, 150W, R |
| 639798 |
场效应管 APT802R4AN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L,800V,5A,150W, 21/26n |
| 639799 |
场效应管 APT802R4BN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L, 800V, 5.5A, 180W, 2 |
| 639800 |
场效应管 APT802R4CN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L,800V, 4.5A, 125W, R< |
| 639801 |
场效应管 APT802R4DN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S, 800V, RON= |
| 639802 |
场效应管 APT802R4GN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L, 800V, 4.3A, 100W,R< |
| 639803 |
场效应管 AFT802R8AN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L, 800V, 4.5A, 150W, 2 |
| 639804 |
场效应管 APT802R8BN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L,800V,5A,180W, 21/26n |
| 639805 |
场效应管 APT802R8CN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L,800V,4A, 125W, R
|
| 639806 |
场效应管 APT802R8GN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L,800V,4A,100W, R |
| 639807 |
场效应管 APT802RAN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L, 800V, 5.5A, 150W, R |
| 639808 |
场效应管 APT802RBN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L,800V,6A,180W,RO |
| 639809 |
场效应管 APT802RCN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/SL,800V,5A, 125W, R |
| 639810 |
场效应管 APT802RDN |
材料:N-FET
用途及参数: =APT802RBN |
| 639811 |
场效应管 APT802RGN |
材料:N-FET
用途及参数:=APT802RCN |
| 639812 |
场效应管 APT901R1AN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L, 900V, 9.5A, 230W, 3 |
| 639813 |
场效应管 APT901R1BN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L, 900V, 10.5A, 310W, |
| 640726 |
场效应管 BSV38 |
材料:N-FET
用途及参数:Min-CHOP, 25V, 0.05A, 0.3W, 9/ns |
| 640727 |
场效应管 BSV38P |
材料:N-FET
用途及参数:=BSV38: 0.15W |
| 640728 |
场效应管 BSV39 |
材料:N-FET
用途及参数:Min-CHOP, 25V, 0.008~0.1A, 0.3W |
| 640729 |
场效应管 BSV39P |
材料:N-FET
用途及参数: =BSV39:0.15W |
| 640730 |
场效应管 BSV78 |
材料:N-FET
用途及参数:SYM-CHOP, 40V, 0.05A, 0.35W, 10/ |
| 640731 |
场效应管 BSV79 |
材料:N-FET
用途及参数:SYM-CHOP , 40V,0.02A, 0.35W, 15/ |
| 640732 |
场效应管 BSV80 |
材料:N-FET
用途及参数:SYM-CHOP, 40V, 0.01A,0.35W, 15/2 |
| 640733 |
场效应管 BSV81 |
材料:N-FET
用途及参数:SYM-DPL/CHOP, 30V, 0.05A, 0.2W, |
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