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    场效应管参数
编号
产品名称
参数
640426 场效应管 BLF522 材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/UHF, 40V, 1A, 15W, P
640427 场效应管 BLF543 材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/MW/L,65V,1A,25W, P
640428 场效应管 BLF544 材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/MW/L,65V,2A,48W, P
640429 场效应管 BLF544B 材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/UHF, 65V, 1A, 48W, P
640430 场效应管 BLF545 材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/UHF, 65V, 2A, 48W, P
640431 场效应管 BLF546 材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/UHF, 65V, 4A,145W, P
640432 场效应管 BLF548 材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/UHF/MW/L, 65V, 8A, 250W, 
640433 场效应管 BM011(R,RS,S) 材料:FET
用途及参数:MOS-HBM,500V,8A,150W,RON
640434 场效应管 BM012(R,RS,S) 材料:FET
用途及参数:=BM011(R, RS, S): FBM 
640435 场效应管 BM019(R,RS,S) 材料:FET
用途及参数: =BM011(R, RS, S): IBM 
640436 场效应管 BM021(R,RS,S) 材料:FET
用途及参数:MOS-HBM, 500V, 7A, 150W, RON< 
640437 场效应管 BM022(R,RS,S) 材料:FET
用途及参数: =BM021(R, RS, S): FBM 
640438 场效应管 BM029(R,RS,S) 材料:FET
用途及参数:=BM021(R, RS, S): IBM 
640439 场效应管 BM031(R,RS,S) 材料:FET
用途及参数:MOS-HBM, 400V, 10A, 150W, RON 
640440 场效应管 BM032(R,RS,S) 材料:FET
用途及参数: =BM031(R, RS, S): FBM 
640441 场效应管 BM039(R,RS,S) 材料:FET
用途及参数: =BM031(R, RS, S): IBM 
640442 场效应管 BM041(R,RS,S) 材料:FET
用途及参数:MOS-HBM, 400V, 8A, 150W, RON< 
640443 场效应管 BM042(R,RS,S) 材料:FET
用途及参数: =BM041(R, RS, S): FBM 
640444 场效应管 BM049(R,RS,S) 材料:FET
用途及参数: =BM041(R, RS, S): IBM 
640445 场效应管 BM051(R,RS,S) 材料:FET
用途及参数:MOS-HBM, 200V, 18A, 150W, RON 
640446 场效应管 BM052(R,RS,S) 材料:FET
用途及参数:=BM051(R, RS, S): FBM 
640447 场效应管 BM059(R,RS,S) 材料:FET
用途及参数: =BM051(R, RS, S): IBM 
640448 场效应管 BM061(R,RS,S) 材料:FET
用途及参数:MOS-HBM, 200V, 16A, 150W, RON 
640449 场效应管 BM062(R,RS,S) 材料:FET
用途及参数:=BM061(R, RS, S): FBM 
640450 场效应管 BM069(R,RS,S) 材料:FET
用途及参数:=BM061(R, RS, S): IBM 

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