编号 |
产品名称 |
参数 |
| 640536 |
场效应管 BSM151R |
材料:FET
用途及参数:=BSM151F(A, C) |
| 640537 |
场效应管 BSM181(A,C) |
材料:FET
用途及参数:MOS-INM, 800V, 36A, 700W, RON |
| 640538 |
场效应管 BSM181F(FA,FC,FR,R) |
材料:FET
用途及参数:MOS-INM, 800V, 34A, 700W, RON |
| 640539 |
场效应管 BSM191(C) |
材料:FET
用途及参数:MOS-INM, 1000V, 28A, 700W, RO |
| 640540 |
场效应管 BSM191F(A,C) |
材料:FET
用途及参数:MOS-INM, 1000V, 28A, 700W, RO |
| 640541 |
场效应管 BSM204A |
材料:FET
用途及参数:MOS-HBM, 50V, 200A, 400W, RON |
| 640542 |
场效应管 BSM214A |
材料:FET
用途及参数:MOS-HBM, 100V, 125A, 400W, RO |
| 640543 |
场效应管 BSM224A |
材料:FET
用途及参数:MOS-HBM, 200V, 81A, 400W, RON |
| 640544 |
场效应管 BSM244F |
材料:FET
用途及参数:MOS-HBM, 400V, 45A, 400W, RON |
| 640545 |
场效应管 BSM252F |
材料:FET
用途及参数:MOS-HBM, 500V, 18A, 225W, RON |
| 640546 |
场效应管 BSM254F,FA |
材料:FET
用途及参数:MOS-HBM, 500V, 35A, 400W, RON |
| 640547 |
场效应管 BSM282F |
材料:FET
用途及参数:MOS-HBM, 800V, 11A, 225W, RON |
| 640548 |
场效应管 BSM284F |
材料:FET
用途及参数:MOS-HBM, 800V, 20A, 400W, RON |
| 640549 |
场效应管 BSM294F(A) |
材料:FET
用途及参数:MOS-HBM, 1000V, 18A, 400W, RO |
| 640550 |
场效应管 BSM651F(A) |
材料:FET
用途及参数:MOS-TPBM, 500V, 9A, 125W, RON |
| 640551 |
场效应管 BSM652F(A) |
材料:FET
用途及参数:MOS-TPBM, 600V, 17A, 225W, RO |
| 640552 |
场效应管 BSM681F |
材料:FET
用途及参数:MOS-TPBM, 800V, 5.3A, 125W, R |
| 640553 |
场效应管 BSM682F,FA |
材料:FET
用途及参数:MOS-TPBM, 800V, 10A, 225W, RO |
| 640554 |
场效应管 BSM691F,FA |
材料:FET
用途及参数:MOS-TPBM,1000V,4.8A,125W, RON |
| 640555 |
场效应管 BSM692F(A) |
材料:FET
用途及参数:MOS-TPBM, 1000V, 9A. 225W, RO |
| 640556 |
场效应管 BSN10(A) |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S, 50V, 0.175A, 0.83W, R |
| 640557 |
场效应管 BSN10AA |
材料:N-FET
用途及参数:=BSN10(A) |
| 640558 |
场效应管 BSN12(A) |
材料:N-FET-e
用途及参数:V-MOS, 50V, 0.15A, 0.83W, R
|
| 640559 |
场效应管 BSN20 |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S, 50V, 0.1A, 0.3W, /10n |
| 640560 |
场效应管 BSN20W |
材料:MOSFET
用途及参数:50V, 0.1A, 0.2W |
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