编号 |
产品名称 |
参数 |
| 640482 |
场效应管 BS107A |
材料:N-FET
用途及参数: =BS107:0.25A,0.6W |
| 640483 |
场效应管 BS107P |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S,200V,0.12A,0.5W,R |
| 640484 |
场效应管 BS107PT |
材料:N-FET
用途及参数:V-MOS/LG, 200V, 0.13A, 1W,R |
| 640485 |
场效应管 BS107PT |
材料:N-FET
用途及参数: =BS107P:RON=28Ω |
| 640486 |
场效应管 BS107PM1 |
材料:N-FET
用途及参数: =BS107P |
| 640487 |
场效应管 BS108 |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S, 200V, 0.25A,RON< |
| 640488 |
场效应管 BS108A |
材料:N-FET
用途及参数: =BS108:0.13A,RON=14Ω |
| 640489 |
场效应管 BS109 |
材料:N-FET-e
用途及参数:V-MOS, 300V, 0.15A, 0.83W |
| 640490 |
场效应管 BS112 |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S,170V,0.2A,0.83W, /50ns |
| 640491 |
场效应管 BS170 |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S, 60V, 0.3A, 0.63W, 12/ |
| 640492 |
场效应管 BS170F |
材料:N-FET
用途及参数: =BS170: 0.15A, 0.25W, /10ns, R |
| 640493 |
场效应管 BS170P |
材料:FET
用途及参数:MOS-ENH/S, 60V, 0.27A, /15ns, R
|
| 640494 |
场效应管 BS189 |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S,200V,0.2A,0.83W, /50ns |
| 640495 |
场效应管 BS192 |
材料:P-FET
用途及参数: =BS189: /15ns, RON=1 |
| 640496 |
场效应管 BS208 |
材料:P-FET
用途及参数:MOS-ENH/S, 200V, 0.2A, 0.8W, 20/ |
| 640497 |
场效应管 BS209 |
材料:P-FET-e
用途及参数:V-MOS, 300V, 0.12A, 0.83W |
| 640498 |
场效应管 BS212 |
材料:P-FET
用途及参数:MOS-ENH/S,170V,0.2A,0.83W, /15ns |
| 640499 |
场效应管 BS250 |
材料:P-FET
用途及参数:MOS-ENH/S,45V,0.15A,0.83W, 4/10n |
| 640500 |
场效应管 BS250F |
材料:P-FET
用途及参数:MOS-ENH/S,45V,0.09A,0.25W, R
|
| 640501 |
场效应管 BS250P |
材料:P-FET
用途及参数: =BS250: 023A, 0.7W, 10/10ns, R< |
| 640502 |
场效应管 BS256 |
材料:P-FET
用途及参数:45V, 0.13A, 0.4W |
| 640503 |
场效应管 BS270 |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S,60V,0.4A,0.625W, R
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| 640504 |
场效应管 BS807 |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S,200V.0.1A,0.31W, R
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| 640505 |
场效应管 BS817 |
材料:P-FET
用途及参数:MOS-ENH/S,200V,0.1A,0.31W, R
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| 640506 |
场效应管 BSD10 |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-DPL/S, 10V, 0.05A, 0.275W, / |
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