编号 |
产品名称 |
参数 |
| 640114 |
场效应管 AT10650-5 |
材料:GaAs
用途及参数: =AT10550-1:Po=18W, N< |
| 640115 |
场效应管 AT12535 |
材料:GaAs
用途及参数:UHF-MW, 7V, 0.15A, 0.4W, 4GHz, P< |
| 640116 |
场效应管 ATF10135 |
材料:GaAs
用途及参数:UHF-MW/RA, 0.4W, 12GHz, Nf
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| 640117 |
场效应管 ATF10235 |
材料:GaAs
用途及参数:UHF-MW/RA, 0.4W, 12GHz, Nf
|
| 640118 |
场效应管 ATF12535 |
材料:GaAs
用途及参数:UHF-MW, 0.4W, 12GHz, Nf
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| 640119 |
场效应管 ATF13284 |
材料:GaAs
用途及参数:UHF-MW, 5V, 0.1A, 0.225W, 12GHz, |
| 640120 |
场效应管 ATF20135 |
材料:GaAs
用途及参数:UHF-MW, 0.4W, 12GHz, Nf
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| 640121 |
场效应管 B |
材料:N-FET
用途及参数:V, 40V, 0.03~0.3mA, 0.1W |
| 640122 |
场效应管 B |
材料:GaAs-FET
用途及参数:MW-RA, 6V, 0.04~0.12A, 0.2W 1 |
| 640123 |
场效应管 B |
材料:GaAs-N-FET
用途及参数:MW-RA, 3.5V, 0.012~0.07A, 0 |
| 640124 |
场效应管 B |
材料:N-FET-d
用途及参数:MOS-SMD/DUAL, 15V, 0.03A,I
|
| 640125 |
场效应管 B |
材料:N-FET-d
用途及参数:MOS-SMD/DUAL, 15V, 0.03A, I
|
| 640126 |
场效应管 B1 |
材料:N-FET-e
用途及参数:V-MOS/SMD/LG, 30V, 0.1 A, R
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| 640127 |
场效应管 B10 |
材料:N-FET
用途及参数:=2SK545-B10 |
| 640128 |
场效应管 B11 |
材料:N-FET
用途及参数:=2SK545-B11 |
| 640129 |
场效应管 B12 |
材料:N-FET
用途及参数:=2SK545-B12 |
| 640130 |
场效应管 BC244 |
材料:N-FET
用途及参数:UNI, 30V, 0.025A |
| 640131 |
场效应管 BC246C |
材料:N-FET
用途及参数:UNI, 30V, 0.008A, 0.3W |
| 640132 |
场效应管 BC264 |
材料:N-FET
用途及参数:Nf-V/RA/SYM, 30V, 0.0 |
| 640133 |
场效应管 BC264A |
材料:N-FET
用途及参数: =BC264: 0.002~0.0045A |
| 640134 |
场效应管 BC264B |
材料:N-FET
用途及参数: =BC264: 0.0035~0.0065A |
| 640135 |
场效应管 BC264C |
材料:N-FET
用途及参数: =BC264: 0.005~0.008A |
| 640136 |
场效应管 BC264D |
材料:N-FET
用途及参数: =BC264: 0.007~0.012A |
| 640137 |
场效应管 BC264L |
材料:N-FET
用途及参数:AUDIO, 30V, 0.007A |
| 640138 |
场效应管 BC264L(A…D) |
材料:N-FET
用途及参数:Nf-V/RA/SYM, 30V, 0.0 |
