编号 |
产品名称 |
参数 |
| 639669 |
场效应管 AP0130ND |
材料:P-FET
用途及参数:MOS-ARR, 300V, 0.015A, RON< |
| 639670 |
场效应管 AP0132NA,WG |
材料:P-FET
用途及参数:MOS-ARR, 320V, 0.015A, 1.5W R
|
| 639671 |
场效应管 AP0132ND |
材料:P-FET
用途及参数:MOS-ARR, 320V, 0.01 5A, RON |
| 639672 |
场效应管 AP0140N |
材料:P-FET
用途及参数:MOS-ARR, 400V, 0.015A,0.64W |
| 639673 |
场效应管 AP0140NA,WG |
材料:P-FET
用途及参数:MOS-ARR, 400V, 0.015A, 1.5W R
|
| 639674 |
场效应管 AP0140ND |
材料:P-FET
用途及参数:MOS-ARR, 400V, 0.015A, RON< |
| 639675 |
场效应管 APT20M11PCEN |
材料:FET
用途及参数:MOS-HBM,200V,257A,1.56kW, RO |
| 639676 |
场效应管 APT20M20PBEN |
材料:FET
用途及参数:MOS-HBM, 200V, 137A, 800W, RO |
| 639677 |
场效应管 APT20M21DN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH, 200V,RON=0.0 |
| 639678 |
场效应管 APT20M21HCEN |
材料:FET
用途及参数:MOS-HBM, 200V, 131A, 780W, RO |
| 639679 |
场效应管 APT20M40BFN |
材料:FET
用途及参数:MOS-INM, 200V, 83A, 595W, RON |
| 639680 |
场效应管 APT20M400N |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S, 200V, RON= |
| 639681 |
场效应管 APT20M4040HBEN |
材料:FET
用途及参数:MOS-HBM, 200V, 68A, 400W, RON |
| 639682 |
场效应管 APT20M40SAEN |
材料:FET
用途及参数:MOS-INM, 200V, 68A, 400W, RON |
| 639683 |
场效应管 AFT25GF100BN |
材料:IGBT
用途及参数:S-L, 1000V, 25A, 147W, 170/800ns |
| 639684 |
场效应管 APT30GF60BN |
材料:IGBT
用途及参数:S-L, 600V, 30A, 147W, 130/600ns |
| 639685 |
场效应管 APT30GL100BN |
材料:IGBT
用途及参数:S-L, 1000V, 30A, 147W, 0.17/1:5 μ |
| 639686 |
场效应管 APT35-101DN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S, 360V, 25A, 295W, R
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| 639687 |
场效应管 APT35G50BN |
材料:IGBT
用途及参数:S-L, 500V, 35A, 162W, 60/ns |
| 639688 |
场效应管 APT35G60BN |
材料:IGBT
用途及参数:S-L, 600V, 35A, 162W,60/350ns |
| 639689 |
场效应管 APT35GL60BN |
材料:IGBT
用途及参数:S-L, 600V, 35A, 147W, 0.13/1 μs |
| 639690 |
场效应管 APT35M21PCEN |
材料:FET
用途及参数:MOS-HBM, 350V, 183A.1.56KW, R |
| 639691 |
场效应管 APT35M40PBEN |
材料:FET
用途及参数:MOS-HBM. 350V. 95A, 800W, RON |
| 639692 |
场效应管 AFT35M42BFN |
材料:FET
用途及参数:MOS-HBM, 350V, 95A, 830W, RON |
| 639693 |
场效应管 APT35M42DN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH. 350V, RON=0. |
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