编号 |
产品名称 |
参数 |
| 639694 |
场效应管 APT35M42HCEN |
材料:FET
用途及参数:MOS-HBM, 350V, 92A, 780W, RON |
| 639695 |
场效应管 APT35M80AFN |
材料:FET
用途及参数:MOS-INM, 350V, 58A, 595W, RON |
| 639696 |
场效应管 APT35M80DN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S, 350V, RON= |
| 639697 |
场效应管 APT35M80HBEN |
材料:FET
用途及参数:MOS-HBM, 350V, 47A, 400W,RON< |
| 639698 |
场效应管 APT35M80SAEN |
材料:FET
用途及参数:MOS-INM, 400V, 47A, 400W, RON |
| 639699 |
场效应管 APT45-101DN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L., 450V, 22.5A, 295W, |
| 639700 |
场效应管 AFT45GF60BN |
材料:IGBT
用途及参数:S-L, 600V, 45A, 200W, 130/500ns, |
| 639701 |
场效应管 APT45GL100BN |
材料:IGBT
用途及参数:S-L, 1000V, 45A, 200W, 0.17/1.5 |
| 639702 |
场效应管 APT45M30PCEN |
材料:FET
用途及参数:MOS-HBM , 450V , 1 52A , 1560W, R< |
| 639703 |
场效应管 APT45M55PBEN |
材料:FET
用途及参数:MOS-HBM, 450V, 80A, 800W RON< |
| 639704 |
场效应管 APT45M60BFN |
材料:FET
用途及参数:MOS-HBM, 450V, 78A, 830W,RON< |
| 639705 |
场效应管 APT45M60ND |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S, 450V, RON= |
| 639706 |
场效应管 APT45M60HCEN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-HBM, 450V, 76A, 780W, R |
| 639707 |
场效应管 APT50-101DN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S, 450V, 22.5A, 295W, R< |
| 639708 |
场效应管 AFT50GF100BN |
材料:N-FET
用途及参数:IGBT, 1000V, 50A, 245W, 170/800n |
| 639709 |
场效应管 APT50GL60BN |
材料:N-FET
用途及参数:IGBT, 600V, 50A, 200W,0.13/1μs, |
| 639710 |
场效应管 AFT50M30PCEN |
材料:FET
用途及参数:MOS-HBM.500V, 152A, 1560W, RO |
| 639711 |
场效应管 APT50M55PBEN |
材料:FET
用途及参数:MOS-HBM, 500V, 80A, 800W, RON |
| 639712 |
场效应管 APT50M60BFN |
材料:FET
用途及参数:MOS-HBM, 500V, 76A, 780W, RON |
| 639713 |
场效应管 APT50M60DN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S, 450V,RON=0 |
| 639714 |
场效应管 APT50M60HCEN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-HBM, 500V, 76A, 780W, R |
| 639715 |
场效应管 APT55-101DN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S, 550V, 17.5A, 295W, R< |
| 639716 |
场效应管 APT55GF60BN |
材料:N-FET
用途及参数:IGBT, 600V, 55A, 245W, 130/500ns |
| 639717 |
场效应管 APT55M45PCEN |
材料:FET
用途及参数:MOS-HBM, 550V, 122A, 1560W, R |
| 639718 |
场效应管 AFT55M85PBEN |
材料:FETFET
用途及参数:MOS-HBM, 550V, 64A, 800W, R
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