编号 |
产品名称 |
参数 |
| 639744 |
场效应管 APT501R1GN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S , 500V , 6.5A , 100W, |
| 639745 |
场效应管 APT551R2AN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENHS/L,550V,7A,150W, RO |
| 639746 |
场效应管 APT551R2BN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENHS/L,550V,8A, 180W, R |
| 639747 |
场效应管 APT551R2DN |
材料:N-FET
用途及参数:=APT551R2AN |
| 639748 |
场效应管 APT551R3AN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L,550V, 6.5A, 150W, 24 |
| 639749 |
场效应管 APT551R3BN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L. 550V, 7.5A, 180W, 2 |
| 639750 |
场效应管 APT551R3CN |
材料:N-FET
用途及参数: =APT551R3AN: 20/22ns |
| 639751 |
场效应管 APT551R3DN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S, 550V, RON= |
| 639752 |
场效应管 APT551R3GN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L, 550V, 5.5A, 100W, R |
| 639753 |
场效应管 APT551R6AN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L, 550V, 5.5A, 125W, R |
| 639754 |
场效应管 APT551R6BN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L, 550V, 6.5A, 180W, 2 |
| 639755 |
场效应管 APT551R6CN |
材料:N-FET
用途及参数:MCS-ENH/S/L, 550V, 5.5A, 125W, R |
| 639756 |
场效应管 APT551R6GN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L.,550V,5A,100W, R
|
| 639757 |
场效应管 APT601R2AN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L,600V,7A,150W, R |
| 639758 |
场效应管 AFT601R2BN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L.,600V,8A,180W, R
|
| 639759 |
场效应管 APT601R2CN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L, 600V, 6.5A, 125W, R |
| 639760 |
场效应管 AFT601R2DN |
材料:N-FET
用途及参数: =APT601R2BN |
| 639761 |
场效应管 AFT601R2GN |
材料:N-FET
用途及参数: =APT601R2CN |
| 639762 |
场效应管 APT601R3AN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L, 600V, 6.5A, 150W, 2 |
| 639763 |
场效应管 APT601R3BN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L. 600V, 7.5A, 180W, 2 |
| 639764 |
场效应管 APT601R3BNR |
材料:N-FET
用途及参数:=APT601R3BN |
| 639765 |
场效应管 APT601R3CN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L, 600V, 6.5A, 125W, R |
| 639766 |
场效应管 APT601R3DN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S, 600V, RON= |
| 639884 |
场效应管 APT3530AN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L, 350V, 17A, 198W, 47 |
| 639885 |
场效应管 APT3530BN |
材料:N-FET
用途及参数:MOS-ENH/S/L, 350V, 18.5A, 240W, |
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