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 硅微波二极管参数-- P-I-N结构二极管 5082-3170
资料名称：
 P-I-N结构二极管 5082-3170
型  号：
说  明：
 击穿电压--Vbmin(V)：
测试Vbr的测试条件(正向电流)--Ir(A)：
串联阻抗--SR(Ω)：0.95
测试串联阴抗时的正向电流--If(A)：
引脚间的标称电容--Ct(F)：0.2p
载流子寿命--CL(s)：400n
测试载流子寿命时的测试条件(正向电流)--If(A)：50m
测试载流子寿命时的测试条件(反向电流)--Ir(A)：250m
最高工作温度--Tomax(℃)：150
所属分类：
 硅微波二极管参数
日 期：
 2003-7-22
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